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型号 FQU2N60CTU 
厂家: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述: MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
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详细技术参数
VendorFairchild Semiconductor
CategoryTransistors, FETs, IGBTs
Mounting TypeThrough Hole
Package NameIPak
FET TypeN-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)600.0 V [Nom]
Voltage Gate to Source (Vgs)30.0 V [Max]
Continuous Drain Current (Id)1.90 A [Nom]
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7 Ohms @ 950mA, 10V
Rds On (Typ) @ Id, Vgs3.6 Ohms @ 950mA, 10V
Input Capacitance (Ciss)235.0 pF @ 25.0 V
Gate Charge (Qg)12.00 nC @ 10.0 V
Power Dissipation44.000 W [Max]
PackagingTube
Lead Free StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
 
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