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型号 MTD10N10ELT4 
厂家: ON SEMICONDUCTOR
描述: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
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详细技术参数
VendorON Semiconductor
CategoryTransistors, FETs, IGBTs
Mounting TypeSurface (SMD, SMT)
Package NameDPak
Package Name* DPak, 2-lead + Tab
FET TypeN-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)100.0 V [Nom]
Voltage Gate to Source (Vgs)15.0 V [Max]
Continuous Drain Current (Id)10.00 A [Nom]
Power Dissipation40.000 W [Max]
PackagingDigi-Reel
Protection Diode(s)Drain to Source
Rise Time150.00 ns [Max]
Rise Time74.00 ns [Typ]
Fall Time80.000 ns [Max]
Fall Time38.000 ns [Typ]
Vgs Min.1.00 V @ 250.0 ?A
Vgs Max.2.00 V @ 250.0 ?A
Drain Peak Current (Idm)35.00 A [Nom]
Operating Junction Temperature-55 °C [Min]
Operating Junction Temperature150 °C [Max]
Lead Free StatusContains Lead
RoHS StatusRoHS Non-Compliant
 
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