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型号:  
 
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型号 2SJ352E 
厂家: RENESAS TECHNOLOGY AMERICA
描述: MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P
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详细技术参数
VendorRenesas Technology America
CategoryTransistors, FETs, IGBTs
Mounting TypeThrough Hole
Package NameTO-3P
FET TypeP-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)200.0 V [Nom]
Voltage Gate to Source (Vgs)20.0 V [Max]
Continuous Drain Current (Id)8.00 A [Nom]
Input Capacitance (Ciss)800.0 pF @ 10.0 V
Power Dissipation100.000 W [Max]
PackagingTube
Lead Free StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
 
2SJ352E 供应商 2SJ352E Datasheet 2SJ352E 技术参数 2SJ352E 替代型号
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