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型号 STE180NE10 
厂家: STMICROELECTRONICS
描述: MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP
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详细技术参数
VendorSTMicroelectronics
CategoryTransistors, FETs, IGBTs
Mounting TypeScrew Mount
Package NameISOTOP
FET TypeN-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)100.0 V [Nom]
Voltage Gate to Source (Vgs)20.0 V [Max]
Continuous Drain Current (Id)180.00 A [Nom]
Power Dissipation360.000 W [Max]
PackagingTube
Protection Diode(s)Drain to Source
Rise Time600.00 ns [Typ]
Fall Time440.000 ns [Typ]
Vgs Min.2.00 V @ 250.0 ?A
Vgs Max.4.00 V @ 250.0 ?A
Drain Peak Current (Idm)540.00 A [Nom]
Operating Junction Temperature150 °C [Max]
Lead Free StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
 
STE180NE10 供应商 STE180NE10 Datasheet STE180NE10 技术参数 STE180NE10 替代型号
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